位错芯
【词语拼音】wèi cuò xīn
【词语繁体】位錯芯
【词语结构】ABC式词语
【词语字数】三字词语
【网络解释】
位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构。
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