相变化内存
【词语拼音】xiāng biàn huà nèi cún
【词语繁体】相變化內存
【词语结构】式词语
【词语字数】五字词语
【网络解释】
相变化内存(Phase-change memory,Ovonic Unified Memory,Chalcogenide RAM,简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成,主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代快闪存储器的技术之一。
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