词语相变化内存的详细解释,相变化内存的拼音及基本释义

相变化内存

【词语拼音】xiāng biàn huà nèi cún

【词语繁体】相變化內存

【词语结构】式词语

【词语字数】五字词语

【网络解释】
相变化内存(Phase-change memory,Ovonic Unified Memory,Chalcogenide RAM,简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成,主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代快闪存储器的技术之一。